產品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊(達林頓)
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊(達林頓)
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊(達林頓)
- 東芝復合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊(達林頓)
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應模塊
- IR可控硅
新聞詳情
英飛凌模塊的使用性能的介紹
日期:2025-04-28 17:07
瀏覽次數:986
摘要: D類音頻功放兼具體積小、發熱少、集成度高和高清音質等優勢。通過釋放英飛凌的電源MOSFET技術的巨大潛力,英飛凌推出了MERUS雙通道、模擬輸入D類音頻放大器多芯片模塊(MCM)MA5332MS。MA5332MS在前代產品的基礎上進行了升級,能夠提供與單芯片音頻放大器相同甚至更高的輸出功率,且無需散熱片,占板面積減少50%。在每通道100W-400 W的功率范圍內,MA5332MS是家庭影院系統、條形音箱、低音炮和迷你音響系統等消費電子產品的理想選擇。它同樣適用于有源揚聲器、有源錄音棚監聽控制器、吉他音箱、汽車音響改裝及船用音頻放大器等專業應用...
D類音頻功放兼具體積小、發熱少、集成度高和高清音質等優勢。通過釋放英飛凌的電源MOSFET技術的巨大潛力,英飛凌推出了MERUS雙通道、模擬輸入D類音頻放大器多芯片模塊(MCM)MA5332MS。MA5332MS在前代產品的基礎上進行了升級,能夠提供與單芯片音頻放大器相同甚至更高的輸出功率,且無需散熱片,占板面積減少50%。在每通道100W-400 W的功率范圍內,MA5332MS是家庭影院系統、條形音箱、低音炮和迷你音響系統等消費電子產品的理想選擇。它同樣適用于有源揚聲器、有源錄音棚監聽控制器、吉他音箱、汽車音響改裝及船用音頻放大器等專業應用。
MA5332MS采用 42引腳QFN封裝,尺寸為7mm x 7mm, 在小型封裝中集成了雙通道PWM控制器、高壓柵極驅動器和4個低導通電阻(RDS(ON))MOSFET。由于D類音頻放大器輸出級的導通電阻極低(典型值:24.4 mΩ),在無散熱片的情況下,MA5332MS可為4 Ω的負載提供2 x 100 W的恒定功率;在使用小型8°C/W散熱片的情況下,可為4 Ω的負載提供2 x 200 W的恒定功率。與其他單芯片解決方案相比,尺寸大幅縮小。MA5332MS可提供差分或單端輸入和多種輸出配置選項——單端(2x SE)、橋接式負載(BTL)和并聯單端(PSE),并支持雙供電或單供電。以SE結構替代BTL結構,可以減少總線電容器,輸出低通濾波器。
英飛凌模塊作為一款高度集成的多芯片模塊,MA5332MS還提供具有自復位功能的過流、過溫、欠壓保護電路。這種基于片上系統的保護電路,無需利用外部元器件進行保護電路的設計,可節省時間。此外,控制軟啟動操作的全新內部邏輯控制方法,使得點擊噪音進一步減小。得益于功能的改進,MA5332MS可降低BOM(物料清單)成本和散熱需求,能為工業設計帶來更多空間,且能實現效率和低輸出失真。